В лаборатории изучаются физические явления в полупроводниковых материалах и квантово-размерных структурах на микроскопическом уровне с использованием нового современного метода XAFS-спектроскопии.
Метод XAFS-спектроскопии основан на изучении тонкой структуры спектров поглощения в рентгеновской области. Он нашел широкое применение в различных областях науки и применим к изучению материалов во всех агрегатных состояниях.
В нашей лаборатории XAFS-спектроскопия используется для изучения влияния различных примесей на структуру, оптические, электрические и магнитные свойства полупроводниковых материалов, квантовых точек, нанопластинок и наногетероструктур. Измерения спектров XAFS проводятся на источниках синхротронного излучения в нашей стране, в том числе в Курчатовском институте, и за рубежом.
Проводимые в лаборатории исследования носят комплексный характер, включают в себя рентгеновские, оптические, электрические и магнитные измерения. При анализе полученных результатов используются данные расчетов, выполненные из первых принципов (ab initio).