Диэлектрическая спектроскопия служит одним из методов получения информации об особенностях механизмов переноса носителей заряда и о локальной структуре материала. Получение указанной информации связано с исследованием частотных зависимостей функций линейного отклика среды: комплексной диэлектрической восприимчивости, комплексной проницаемости и комплексной проводимости. Основное внимание уделяется развитию теории электронного энергетического спектра и построению теории квантового прыжкового переноса в неупорядоченных полупроводниках.
Исследования диэлектрических потерь (в частности, измерения частотной зависимости проводимости) позволяют получить информацию о структурных особенностях материала и об особенностях переноса носителей заряда в среде. Для многих неупорядоченных материалов (аморфные и легированные полупроводники, полупроводниковые стекла, проводящие полимеры, гранулированные проводники и т.п.) частотная зависимость проводимости хорошо описывается степенной зависимостью. Степенная частотная зависимость проводимости указывает на прыжковый характер переноса, однако ее универсальность существенно затрудняет получение информации о конкретных особенностях механизма переноса из вида частотной зависимости проводимости. По этой причине важную роль приобретают исследования отклонений частотной зависимости проводимости от универсальности и установление их связи с особенностями механизма переноса и со структурными особенностями материала.
Имеющаяся теория проводимости неупорядоченных полупроводников с мелкими примесными уровнями не учитывает неточечности центров локализации носителей заряда; в тоже время на практике часто приходится иметь дело с неупорядоченными системами, включающими в себя центры локализации конечных размеров (наногранулы, квантовые точки, проводящие области в легированных компенсированных полупроводниках, обусловленные крупномасштабными флуктуациями концентрации примеси и связанные с крупномасштабными флуктуациями случайных кулоновских полей). Высокочастотная электронная проводимость, описываемая в рамках парного приближения, существенно зависит от особенностей структуры центров локализации; при этом особый интерес представляют аномалии прыжковых явлений переноса, связанные с взаимным влиянием квантового ограничения, беспорядка и кулоновского взаимодействия электронов.