Работа производится по теме «Исследования фотоэлектрических параметров двусторонних кремниевых солнечных элементов с наноструктуированными пленками прозрачных проводящих оксидов в качестве просветляющих покрытий при их освещении монохроматичными инфракрасными источниками света». (Совместно с отделом микроэлектроники НИИЯФ МГУ).
В связи с экологическими проблемами и истощением традиционных источников энергии в последние десятилетия большое внимание в мире уделяется развитию возобновляемых источников энергии, в том числе фотопреобразователей на основе кремния. Главной задачей в этом направлении является снижение стоимости производимого ими электричества до уровня, как и у обычных источников энергии. Для этого важен контроль производства таких солнечных элементов на всех этапах их изготовления.
Для максимального КПД фоточувствительность солнечных элементов должна быть не только максимальной, но и однородной по всей площади, т.е. ее контраст должен быть минимальным. Для контроля заготовок солнечных элементов с p-n переходами в настоящее время используются методы, позволяющие измерять заниженные значения этого контраста. В проведенных на кафедре работах было показано, что это снижение происходит из-за токов по сильно легированным слоям между участками с различной фоточувствительностью. Чтобы избежать этого недостатка, была разработана установка, основанная на компенсационном методе, ранее запатетованным сотрудниками кафедры. Установка использована для бесконтактного контроля неоднородности солнечных элементов типа HIT с гетеропереходами между аморфным и кристаллическим кремнием. Путем расчетов также показана применимость этого метода для раздельного определения скорости рекомбинации неравновесных носителей тока в объеме базовой области и на ее поверхности заготовок с p-n переходами.
Экспериментальная установка, основанная на компенсационном методе.