Специальный практикум кафедры полупроводников

Приходя на кафедру полупроводников, студенты выполняют следующие задачи в спецпрактикуме кафедры (комн. 2-83):

• Определение электронных параметров полупроводника из температурных зависимостей коэффициента Холла и удельного сопротивления.
• Определение электронных параметров антимонида индия из температурных зависимостей коэффициента Холла и удельного сопротивления.
• Определение энергии ионизации второго акцепторного уровня золота и концентраций основной и компенсирующей примесей в германии.
• Определение характеристик полупроводниковых материалов из температурных зависимостей коэффициента термо-э.д.с. и электропроводности.
• Определение диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей в полупроводниках.
• Определение времени жизни и дрейфовой подвижности неравновесных носителей заряда в полупроводнике.
• Электрические свойства p-n-переходов.
• P-n-переходы в вырожденных полупроводниках и характеристики туннельных диодов.
• Излучательная рекомбинация в p-n-переходах и характеристики светодиодов.
• Интегральные и спектральные характеристики кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии.