Ормонт Наталия Николаевна

Старший научный сотрудник кафедры полупроводников физического факультета МГУ, кандидат физико-математических наук.

Научные интересы:

Фотоэлектрические свойства аморфных и микрокристаллических полупроводников; фотоиндуцированные и термоиндуцированные метастабильные состояния, их природа, механизмы образования и релаксации; влияние метастабильных состояний на процессы переноса и рекомбинацию носителей заряда и основные параметры в гидрированном и микрокристаллическом аморфном кремнии.

Некоторые публикации:

A.G. Kazanskii, I.A. Kurova, N.N. Ormont, I.P. Zvyagin. Anomalous relaxation of light-induced states of a-Si:H. J. Non-Cryst. Sol., v. 227-230, Pt. 1, 306 (1998).
И.А. Курова, Э.В. Ларина, Н.Н. Ормонт. Особенности релаксации термоиндуцированных и фотоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H(P). ФТП, т. 34, с. 364 (2000).
И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова, В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских. Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H и влияние на них термического отжига. ФТП, т. 35, с. 367 (2001).
I.P. Zvyagin, I.A. Kurova, N.N. Ormont. Variable range hopping in hydrogenated amorphous silicon. Phys. Status Solidi C, v. 1, N 1, 101 (2004).
Н.Н. Ормонт, И.А. Курова, Г.В. Прокофьев. Фотоиндуцированная релаксация метастабильных состояний в a-Si:H(B). ФТП, т. 39, в. 8, с. 960 (2005).
И.П. Звягин, И.А. Курова, М.А. Нальгиева, Н.Н. Ормонт. Прыжковая e₂-проводимость легированных бором пленок a-Si:H, подвергнутых высокотемпературному отжигу в водороде. ФТП, т. 40, с. 112 (2006).
И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, П.А. Иоффе. Два типа фотоиндуцированных метастабильных дефектов в нелегированных пленках аморфного гидрированного кремния. Материалы электронн. техн., в. 4, с. 15-18 (2007).
И.А. Курова, Н.Н. Ормонт. Влияние температуры и интенсивности освещения на образование метастабильных состояний в a-Si:H. ФТП, т. 42, в. 4, с. 447-450 (2008).
Курова И.А., Ормонт Н.Н. Особенности фотоиндуцированной релаксации метастабильных дефектов в аморфном гидрированном кремнии. Вестник МГУ, сер. 3. Физика. Астрономия, в. 1, с. 56-59 (2009).
Курова И.А., Ормонт Н.Н. Влияние освещения на темновую проводимость и фотопроводимость слоистых пленок аморфного гидрированного кремния. Вестник МГУ, сер. 3. Физика. Астрономия, в. 5, с. 51-55 (2009).
Курова И.А., Ормонт Н.Н. Особенности фотоэлектрических свойств слоистых пленок аморфного гидрированного кремния. Физ. и техн. полупроводн., т. 44, в. 12, с. 1624-1628 (2010).
Курова И.А., Ормонт Н.Н. О природе высокой фоточувствительности слоистых пленок аморфного гидрированного кремния. Материалы электронной техники. Известия вузов, в. 3, с. 45-48 (2010).
Курова И.А., Ормонт Н.Н. Влияние спектрального состава света на температурную зависимость и величину фотопроводимости слоистых пленок a-Si:H. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, в. 3, с. 59-62 (2011).
Курова И.А., Ормонт Н.Н. Об особенностях процессов рекомбинации в слоистых пленках a-Si:H. Физ. и техн. полупроводн., т. 46, в. 3, с. 330-333 (2012).
Курова И.А., Ормонт Н.Н. О фотоиндуцированных эффектах в нелегированных пленках a-Si:H. ФТП, т. 47, в. 6, с.757-760 (2013).
Курова И.А., Ормонт Н.Н. Светоиндуцированная релаксация метастабильной проводимости нелегированных пленок a-Si:H, освещенных при повышенных температурах. Физика и техника полупроводников, т. 49, в. 5, с. 603-605 (2015).
Курова И.А., Ормонт Н.Н. Изменение кинетики термической релаксации фотоиндуцированной при Т=425 К метастабильной темновой проводимости пленок a-Si:H слабой подсветкой на начальном этапе релаксации. Физика и техника полупроводников, т. 51, в. 4, с. 440-442 (2017).

Scopus page

Координаты:

Телефон: (495) 939-39-17
E-mail: ormont@phys.msu.su
Лаборатория: комн. 1-58

Кафедра полупроводников