| Курова Ида Александровна
|
Старший научный сотрудник кафедры полупроводников физического факультета МГУ;
кандидат физико-математических наук; заслуженный научный сотрудник МГУ.
Лауреат Ломоносовской премии (1980 г.)
Научные интересы:
Фотоэлектрические свойства аморфных и микрокристаллических полупроводников;
фотоиндуцированные и термоиндуцированные метастабильные сорстояния, их
природа, механизмы образования и релаксации; влияние метастабильных
состояний на процессы переноса и рекомбинацию носителей заряда и основные
параметры в гидрированном аморфном и
микрокристаллическом кремнии.
Некоторые публикации:
- A.G. Kazanskii, I.A. Kurova, N.N. Ormont, I.P. Zvyagin.
Anomalous
relaxation of light-induced states of a-Si:H.
J. Non-Cryst. Sol. 227-230, Pt. 1, 306 (1998).
- И.А. Курова, Э.В. Ларина, Н.Н. Ормонт.
Особенности релаксации термоиндуцированных
и фотоиндуцированных метастабильных состояний в пленкахa-Si:H(P).
ФТП, 34, 364 (2000).
- И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова, В.П. Афанасьев,
А.С. Гудовских. Электрические и
фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H и влияние на них
термического отжига. ФТП, 35, 367 (2001).
- I.P. Zvyagin, I.A. Kurova, N.N. Ormont.
Variable range hopping in
hydrogenated amorphous silicon. Phys. Status Solidi C, 1, 101-104
(2004).
- Н.Н. Ормонт, И.А. Курова, Г.В. Прокофьев. Фотоиндуцированная релаксация
метастабильных состояний в a-Si:H(B). ФТП, т. 39, в. 8, с. 960 (2005).
- И.П. Звягин, И.А. Курова, М.А. Нальгиева, Н.Н. Ормонт. Прыжковая
e2-проводимость легированных бором пленок a-Si:H, подвергнутых
высокотемпературному отжигу в водороде. ФТП, т. 40, с. 112 (2006).
- И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, П.А. Иоффе. Два типа фотоиндуцированных
метастабильных дефектов в нелегированных пленках аморфного гидрированного
кремния. Материалы электронн. техн., в. 4, с. 15-18 (2007).
- И.А. Курова, Н.Н. Ормонт. Влияние температуры и интенсивности освещения
на образование метастабильных состояний в a-Si:H. ФТП, т. 42, в. 4,
с. 447-450 (2008).
- Курова И.А., Ормонт Н.Н. Особенности фотоиндуцированной релаксации
метастабильных дефектов в аморфном гидрированном кремнии. Вестник МГУ, сер. 3.
Физика. Астрономия, в. 1, с. 56-59 (2009).
- Курова И.А., Ормонт Н.Н. Влияние освещения на темновую проводимость и
фотопроводимость слоистых пленок аморфного гидрированного кремния. Вестник
МГУ, сер. 3. Физика. Астрономия, в. 5, с. 51-55 (2009).
- Курова И.А., Ормонт Н.Н. Особенности фотоэлектрических свойств слоистых
пленок аморфного гидрированного кремния. Физ. и техн. полупроводн., т. 44,
в. 12, с. 1624-1628 (2010).
- Курова И.А., Ормонт Н.Н. О природе высокой фоточувствительности слоистых
пленок аморфного гидрированного кремния. Материалы электронной техники.
Известия вузов, в. 3, с. 45-48 (2010).
- Курова И.А., Ормонт Н.Н. Влияние спектрального состава света на температурную
зависимость и величину фотопроводимости слоистых пленок a-Si:H. Известия высших
учебных заведений. Материалы электронной техники, в. 3, с. 59-62 (2011).
- Курова И.А., Ормонт Н.Н. Об особенностях процессов рекомбинации в слоистых
пленках a-Si:H. Физ. и техн. полупроводн., т. 46, в. 3, с. 330-333 (2012).
- Курова И.А., Ормонт Н.Н. О фотоиндуцированных эффектах в нелегированных пленках
a-Si:H. ФТП, т. 47, в. 6, с.757-760 (2013).
- Курова И.А., Ормонт Н.Н. Светоиндуцированная релаксация метастабильной
проводимости нелегированных пленок a-Si:H, освещенных при повышенных температурах.
Физика и техника полупроводников, т. 49, в. 5, с. 603-605 (2015).
- Курова И.А., Ормонт Н.Н. Изменение кинетики термической релаксации
фотоиндуцированной при Т=425 К метастабильной темновой проводимости пленок a-Si:H
слабой подсветкой на начальном этапе релаксации. Физика и техника полупроводников,
т. 51, в. 4, с. 440-442 (2017).
Scopus page
Лекционные курсы
Координаты
Телефон: (495) 939-3917
Лаборатория: комн. 1-58
Кафедра полупроводников