1. Введение. Аморфные гидрированные полупроводники - перспективные тонкопленочные материалы для создания приборов преобразования энергии и регистрации информации.
2. Технология получения и легирования. Химическое осаждение из газовой фазы. Распыление. Разложение реагентов в плазме тлеющего разряда.
3. Структура. Элементы ближнего порядка. Экспериментальные методы исследования ближнего порядка. Структурные модели (модель Полка, микрокристаллические модели). Морфология пленок. Собственные дефекты и их зарядовые состояния (стандартная модель, модель резервуара дефектов). Конфигурация связей водорода. Методы определения концентрации водорода.
4. Плотность состояний в щели подвижности. Модели плотности состояний. Экспериментальные методы определения распределения плотности состояния (метод эффекта поля, релаксационная спектроскопия глубоких уровней, емкостные методики). Влияние состояний на границе раздела пленка/подложка на результаты электрофизических измерений.
5. Электрофизические свойства. Статическая электропроводность (механизмы переноса носителей). Влияние температуры и легирования на проводимость.
6. Дрейфовая подвижность носителей. Введение понятия дрейфовой подвижности. Измерение дрейфовой подвижности. Нормальный и дисперсионный перенос. Экспериментальные данные для аморфного гидрированного кремния.
7. Оптическое поглощение. Спектральная зависимость коэффициента поглощения. Экспериментальные данные для аморфного гидрированного кремния. Методы измерения спектральной зависимости коэффициента поглощения в тонких пленках.
8. Фотоэлектрические свойства. Модели безизлучательной рекомбинации (модель Роуза, рекомбинация на глубоких состояниях, влияние легирования и температуры). Экспериментальные данные для аморфного гидрированного кремния.
9. Метастабильные состояния. Модели возникновения метастабильного состояния, стимулированного освещением пленок.