Исследовано аномальное рассеяние электронов вблизи структурного фазового перехода в PbTe1-xSx. В образцах с x=0.05 при изменении концентрации электронов на два порядка Tc остается неизменной, а величина аномалии в рассеянии DR закономерно изменяется с n. Появление аномального рассеяния около Tc связывается с рассеянием на кластерах предупорядочения (S -- нецентральная примесь). Изменение формы кривой DR(T), наблюдаемое в области x=0.2, объясняется появлением бесконечного кластера. Явления закалки, обнаруженные при быстром охлаждении образцов, могут быть вызваны замораживанием неравновесных конфигураций кластеров. Рассмотрено влияние донорных (In, Cd, Cu, Sb) и изовалентных (Sn, Ge) примесей на фазовый переход в PbTe1-xSx.Ключевые слова: теллурид сульфид свинца, полупроводниковый твердый раствор, узкозонные полупроводники, температура Кюри, индий кадмий медь сурьма германий олово, легирование, дефекты, релаксация