В электрических измерениях, проведенных на монокристаллических образцах n-Pb1-xGexSe (x=0.02-0.08), обнаружено аномальное рассеяние носителей, указывающее на происходящий в кристаллах фазовый переход (ФП) второго рода. Установлена зависимость температуры ФП от состава кристалла. Рентгеновскими исследованиями доказан ромбоэдрический тип искажения кубической решетки ниже Tc и найдена температурная зависимость угла ромбоэдра. Показано, что введение примеси таллия резко понижает температуру ФП. Обсуждаются причины закономерного понижения Tc в твердых растворах халькогенидах свинца-германия при замещении Te->Se->S.Ключевые слова: полупроводники, полупроводниковые твердые растворы, селенид свинца германия, сегнетоэлектрический фазовый переход, температура Кюри, примесь таллия