Авторские свидетельства и патенты, полученные сотрудниками кафедры полупроводников

• Земсков В.С., Лебедев А.И., Стрельникова И.А. Полупроводниковый материал и способ его получения. Авт. свид. 822587, опубл. 22 августа 1979г.
• Случинская И.А., Медведев К.С., Голованова Н.С. Способ изготовления фотодиодов на основе Pb1-xSnxTe. Авт. свид. 249393, приоритет от 21 апреля 1986г.
• Кошелев О.Г., Морозова В.А. Способ определения электрофизических параметров неравновесных носителей заряда в подложках диодных структур. Патент 2019890, приоритет от 28 июня 1991г., зарегистрир. 15 сентября 1994г.
• Кошелев О.Г., Козлов Р.И. Способ определения скорости рекомбинации неравновесных носителей заряда в полупроводниковых пластинах. Заявка 4920987/21-14825 от 15 февраля 1991г. Положительное решение от 26 марта 1992г.
• Кошелев О.Г., Морозова В.А. Устройство для определения спектральной зависимости коэффициента собирания фотопреобразователей. Заявка 4939293/21-044736 от 28 мая 1991г. Положительное решение от 10 марта 1992г.
• Кашкаров П.К., Казанский А.Г., Форш П.А., Жигунов Д.М. Способ получения пленок аморфного кремния, содержащего нанокристаллические включения. Патент 2536775, приоритет от 14 ноября 2012г., опубл. 27 декабря 2014г.