Научные публикации кафедры физики полупроводников за 1997 год

Статьи

• А.Г. Андреев, А.Г. Забродский, И.П. Звягин, С.В. Егоров. Термоэдс нейтронно-легированного Ge:Ga в области прыжковой проводимости. ФТП, т. 31, в. 10, с. 1174-1179 (1997).
• А.Г. Казанский. Влияние времени освещения на отжиг созданных светом метастабильных дефектов в a-Si:H p-типа. ФТП, т. 31, в. 3, с. 347-349 (1997).
• И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, О.А. Голикова, В.Х. Худоярова. О релаксационных характеристиках и стабильности пленок a-Si:H, выращенных при высоких температурах. ФТП, т. 31, в. 5, с. 536-538 (1997).
• И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, Д.В. Сенашенко. Фотоиндуцированные эффекты в пленках a-Si:H при повышенных температурах. Вестник МГУ Серия 3 Физика, т. 38, 28-30 (1997).
• И.А. Курова, Э.В. Ларина, Н.Н. Ормонт, Д.В. Сенашенко. Фотоиндуцированные эффекты в пленках a-Si:H при повышенных температурах. ФТП, т. 31, в. 12, с. 1455-1459 (1997).
• В.А. Морозова, Т.В. Семененя, С.Ф. Маренкин, Е.А. Форш, О.Г. Кошелев. Особенности краевого поглощения диарсенида цинка. Неорган. материалы, т. 33, в. 8, с. 918-923 (1997).
• В.А. Морозова, С.Ф. Маренкин, Т.В. Семененя, А.М. Раухман, О.Г. Кошелев. Оптические и фотоэлектрические свойства диарсенида кадмия. Неорган. материалы, т. 33, в. 10, с. 1183-1189 (1997).
• В.С. Вавилов. Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы. Успехи физических наук, т. 167, в. 4, с. 407-412 (1997).
• В.С. Вавилов, А.А. Клюканов, К.Д. Сушкевич, М.В. Чукичев, Р.Р. Резванов, Е.К. Сушкевич. Катодолюминесценция кристаллов ZnSe(Bi):Al. ФТТ, т. 39, в. 9, с. 1526-1531 (1997).
• П.К. Кашкаров, Е.А. Константинова, С.А. Петрова, В.Ю. Тимошенко, А.Э. Юнович. К вопросу о температурной зависимости люминесценции пористого кремния. ФТП, т. 31, в. 6, с. 745-747 (1997).
• К.Г. Золина, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. Спектры люминесценции голубых и зеленых светодиодов на основе многослойных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами. ФТП, т. 31, в. 9, с. 1055-1061 (1997).
• A.E. Yunovich, A.N. Kovalev, V.E. Kudryashov, F.I. Manyachin, A.N. Turkin, K.G. Zolina. Tunnel effects in luminescence spectra of InGaN/AlGaN/GaN light-emitting diodes. MRS Symp. Proc. v. 449, p. 1167-1172 (1997).
• В.Е. Кудряшов, К.Г. Золина, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. Туннельные эффекты в светодиодах на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами. ФТП, т. 31, в. 11, с. 1304-1309 (1997).
• F.I. Manyakhin, F.N. Kovalev, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich. Avalanche breakdown luminescence of InGaN/AlGaN/GaN. MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research, v. 2, art. No. 11 (1997).
• A.N. Kovalev, V.E. Kudryashov, F.I. Manyakhin, A.N. Turkin, A.E. Yunovich. Changes of luminescent and electrical properties of InGaN/AlGaN/GaN light-emitting diodes during a long work at forward currents. Proc. 2nd Int. Conf. on Nitride Semicond. (Tokushima, 1997), p. 46-47.
• A.I. Belogorokhov, J.R. Leite, L.I. Belogorokhova. Transition between heavy hole-light hole states in the valence band of CdTe at temperatures 5K-300K. Brazilian J. of Physics, v. 27/A, No. 4, p. 332-335 (1997).
• A.I. Belogorokhov, R. Enderlein, A. Tabata, J.R. Leite, V.A. Karavanskii, L.I. Belogorokhova. Enhanced photoluminescence from porous silicon formed by nonstandard preparation. Phys. Rev. B, v. 56, No. 16, p. 10276-10282 (1997).
• A.I. Lebedev, I.A. Sluchinskaya, V.N. Demin, I.H. Munro. Influence of Se, Pb and Mn on the ferroelectric phase transition in GeTe studied by EXAFS. Phase Transitions, v. 60, No. 2, p. 67-77 (1997).
• A.I. Lebedev, I.A. Sluchinskaya, V.N. Demin, I.H. Munro. Off-centering of Pb and Sn impurities in GeTe induced by strong local stress. J. de Physique IV, v. 7. p. C2-1159-1160 (1997).
• A.I. Lebedev, I.A. Sluchinskaya, V.N. Demin, I.H. Munro. Off-centering of Pb and Sn impurities in GeTe. Phys. Rev. B, v. 55, No. 22, p. 14770-14773 (1997).

Тезисы докладов и публикации в трудах конференций

• V. Dneprovskii, V. Karavanskii, V. Poborchii, I. Salamatina, E. Zhukov. Semiconductor quantum wires: nonlinear optical properties. Inst. Phys. Conf. Ser. 155, Chap. 11, p. 825-828 (1997).
• K. Chernoutsan, V. Dneprovskii, V. Karavanskii. O. Shaligina, E. Zhukov. Time-resolved luminescence of porous n-InP. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology 97" (St.-Petersburg, 1997), p. 383-387.
• V. Dneprovskii, E. Zhukov. Strong nonlinearities of semiconductor quantum wires. WE-Heraeus-Seminar "Nonlinear Optics and Excitation Kinetics in Semiconductors" (Graal-Murits, Germany, 1997), Fr-E4.
• V. Dneprovskii, E. Zhukov. Nonlinear Optical Properties of Semiconductor Quantum Wires. 191st Meeting of Electrochemical Society, 4th Int. Symposium on Quantum Confinement (Montreal, Canada, 1997), H1.
• V. Dneprovskii, E. Zhukov. Strong nonlinearities of semiconductor quantum wires. Int. Conf. on Laser Surface Processing (ALT'97, Limoges, France, 1997), S4-3.
• K. Chernoutsan, V. Dneprovskii, V. Karavanskii, O. Shaligina, E. Zhukov. Time-resolved luminescence of porous n-InP. Int. Conf. on Laser Surface Processing (ALT'97, Limoges, France, 1997), P31.
• A.G. Andreev, A.G. Zabrodskii, S.V. Egorov, I.P. Zvyagin. Thermopower of neutron transmutation-doped Ge:Ga in the hopping region. 7th Int. Conf. on Hopping and Related Phenomena (Rackeve, 1997).
• I.P. Zyagin. Hopping thermopower in the regime of ballistic phonons. 7th Int. Conf. on Hopping and Related Phenomena (Rackeve, 1997).
• A.G. Kazanskii, I.A. Kurova, N.N. Ormont, I.P. Zvyagin. Anomalous relaxation of light-induced states of a-Si:H. 17th Int. Conf. on Amorphous Microcrystalline Semiconductors (Budapest, 1997).
• Г. Рихтер, В. Штольц, П. Томас, Ш. Кох, К. Машке, И.П. Звягин. Вертикальная проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком. 3-я Всеросс. конф. по физике полупроводников "Полупроводники-97" (Москва, ФИАН). Тез. докл., с. 86.
• И.П. Звягин. Прыжковая термоэдс в режиме баллистического транспорта фононов. 3-я Всеросс. конф. по физике полупроводников "Полупроводники-97" (Москва, ФИАН). Тез. докл., с. 369.
• А.Г. Андреев, А.Г. Забродский, С.В. Егоров, И.П. Звягин, Г. Бискупски. Аномальное поведение термоэдс нейтронно-легированного Ge в области прыжкового транспорта. 3-я Всеросс. конф. по физике полупроводников "Полупроводники-97" (Москва, ФИАН). Тез. докл., с. 371.
• И.П. Звягин, А.Г. Казанский, И.А. Курова, Н.Н. Ормонт. Образование и релаксация фотоиндуцированных метастабильных изменений локальной структуры аморфного кремния. Труды межд. конф. "Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах" (Ульяновск, 1997), с. 139.
• А.Г. Казанский. Развитие фотовольтаической энергетики и ее роль в решении проблем экологии. Тез. всеросс. науч. конф. "Физические проблемы экологии. Физическая экология" (Москва, 1997), с. 43.
• И.П. Звягин, А.Г. Казанский, И.А. Курова, Н.Н. Ормонт. Аномальная релаксация фотоиндуцированных состояний в пленках a-Si:H. Тез. докл. науч. семинара "Новые идеи в физике стекла" (Москва, 1997), с. 20.
• O.A. Golikova, M.M. Kazanin, V.Kh. Kudoyarova, I.A. Kurova, N.N. Ormont, P. Rosa i Cabarrocas. Light-induced photoconductivity decay in undoped a-Si:H films depending on their stuctural parameters. Abstracts of 17th Int. Conf. on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors (Budapest, 1997), p. 68.
• V.A. Morozova, V.S. Vavilov, S.F. Marenkin, O.G. Koshelev. M.V. Chukichev. A series of spectral lines due to free excitons in ZnAs2. "Optics of Excitons in Condensed Matter" (Int. Conf. dedicated to the 100th Anniversary of Prof. E.F. Gross) (St. Petersburg, 1997). Abstracts, p. 81.
• В.А. Морозова, С.Ф. Маренкин, О.Г. Кошелев, А.Г. Миронов, А.Б. Маймасов. Особенности распространения света в ZnAs2. 3-я Всеросс. конф. по физике полупроводников "Полупроводники-97" (Москва, ФИАН). Тез. докл., с. 217.
• О.Г. Кошелев, Е.А. Форш. Диагностика неоднородностей полупроводниковых пластин по отражению электромагнитных волн микроволнового и ИК диапазонов. Тез. докл. 6-й всесоюзной школе-семинаре "Физика и применение микроволн" (Красновидово, 1997), с. 36-37.
• О.Г. Кошелев, Е.А. Форш. Бесконтактный метод контроля неоднородностей проводимости полупроводниковых пластин. 7-я международная крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (Севастополь, 1997), с. 636.
• M.B. Guseva, V.G. Babaev, A.Yu. Bregadze, M.V. Chukichev, V.V. Khvostov. Luminescence and electronic properties of highly dispersive diamond. Int. Conf. and Exhibition "MicroMat'97" (Berlin, 1997). Abstracts, p. 388.
• M.V. Chukichev, E.A. Ekimov, A.I. Ivanov, T.N. Tolmacheva, V.S. Vavilov. On the presence of nickel in synthetic and natural diamond crystals based on the cathodoluminescence (CL) spectra analysis. Int. Conf. "Diamond-97" (Edinburgh, 1997). Abstract book, p. 15-055.
• V.S. Vavilov, R.R. Rezvanov, M.V. Chukichev. Cathodoluminescence of Cd1-xMnxTe in the near infrared region. 2nd Int. School-Conference "Physical problems in material science of semiconductors" (Chernovtsi, Ukraine, 1997). Abstract booklet, p. 122.
• В.С. Вавилов, И.Ф. Четверикова, М.В. Чукичев. Влияние кислорода на катодолюминесценцию GaN. Межд. конф. "Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах" (Ульяновск, 1997).
• В.С. Вавилов, Ю.А. Голованов, О.Н. Ермаков, М.В. Чукичев. Люминесцентные свойства эпитаксиальных структур в системах In-Ga-Al-P. 3-я Всеросс. конф. по физике полупроводников "Полупроводники-97" (Москва, ФИАН). Тез. докл., с. 309.
• A.E. Yunovich, F. Manyakhin, A. Kovalev, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin. Mechanisms of electroluminescence in InGaN/AlGaN/GaN heterojunctions with quantum wells. Meeting of Electrochemical Society (Paris, 1997). Abstr. No. 1837, p. 2110.
• А.Э. Юнович. Проблемы дефектов и глубоких уровней в гетероструктурах на основе нитрида галлия и его твердых растворов (обзор). Труды межд. конф. "Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах" (Ульяновск, 1997), с. 113.
• F. Manyakhin, A. Kovalev, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich. Avalanche breakdown luminescence of InGaN/AlGaN/GaN heterostructures. 2nd Eur. GaN workshop (EGW-2) (Valbonne, France, 1997). Abstr. Thursd, 11.10.
• А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев. Спектры люминесценции светодиодов на основе гетероструктур из нитрида галлия и его твердых растворов. 3-я Всеросс. конф. по физике полупроводников "Полупроводники-97" (Москва, ФИАН). Тез. докл., с. 357.
• А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. Энергетическая диаграмма и изменения свойств светодиодов из InGaN/AlGaN/GaN при длительной работе. 3-я Всеросс. конф. по физике полупроводников "Полупроводники-97" (Москва, ФИАН). Тез. докл., с. 329.
• И.П. Ревокатова, А.Э. Юнович. Зависимость интенсивности люминесценции от дефектов структуры в эпитаксиальных пленках. 3-я Всеросс. конф. по физике полупроводников "Полупроводники-97" (Москва, ФИАН). Тез. докл., с. 308.
• A.N. Kovalev, V.E. Kudryashov, F.I. Manyakhin, A.N. Turkin, A.E. Yunovich. Aging of InGaN/AlGaN/GaN light-emitting diodes. 1997 MRS Fall Meeting (Boston, 1997), Symposium D. Abstr. No. D17.3, p. 130.
• A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova. Investigation of doped, compensated, narrow-gap CdxHg1-xTe semiconductor solid solution by FTIR spectroscopy. 8th Int. Conf. on Narrow Gap Semiconductors (Shanghai, China, 1997).
• A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova, D.R. Khokhlov. Nonmonotonous behavior of temperature-dependence of plasma frequency and effect of local instability of the PbTe:In,Ga lattice. MRS Proc., v. 484, p. 383 (1997).
• A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova. Spectroscopic characterization of porous silicon embedded with CdSe semiconductor compound. 1997 MRS Fall Meeting (Boston, 1997), Symposium H, H12.8.
• А.И. Лебедев, И.А. Случинская, В.Н. Демин, I.H. Munro. Исследование твердого раствора PbTe1-xSex с помощью EXAFS. Тез. докл. нац. конф. по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (РСНЭ-1997, Дубна, 1997), с. 484.
• А.И. Лебедев, И.А. Случинская, В.А. Козлов, В.Н. Махов, Л.Н. Дмитрук, I.H. Munro, K.C. Cheung, R.M. Brown, P.S. Flower, J.M. Parker. Тез. докл. нац. конф. по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (РСНЭ-1997, Дубна, 1997), с. 448.
• М.А. Ормонт. Вертикальная проводимость неупорядоченной структуры с множественными квантовыми ямами. 3-я Всероссийская конф. по физике полупроводников "Полупроводники-97" (Москва, ФИАН). Тез. докл., с. 80.