Работа опубликована в журнале Физика и техника полупроводников, т. 36,
в. 1, с. 41-44 (2002).
Влияние уровня легирования на фотопроводимость пленок микрокристаллического
гидрированного кремния
А.Г. Казанский, Х. Мелл,
Е.И. Теруков, П.А. Форш
Исследовано влияние уровня легирования бором пленок микрокристаллического
гидрированного кремния на температурные зависимости стационарной
фотопроводимости и времени фотоответа. Измерения проведены в области
температур 130-450 K при облучении пленок квантами света с энергией 1.4 эВ.
Получено, что с ростом уровня легирования величина стационарной
фотопроводимости и время фотоответа возрастают. Предложена модель
рекомбинации неравновесных носителей, учитывающая многофазную структуру
микрокристаллического кремния и позволяющая удовлетворительно объяснить
полученные результаты.
Аморфные и микрокристаллические
полупроводники