Работа опубликована в журнале Физика и техника полупроводников, т. 35,
в. 8, с. 991-994 (2001).
Влияние температуры на фотопроводимость и кинетику ее спада в
микрокристаллическом кремнии
А.Г. Казанский, Х. Мелл,
Е.И. Теруков, П.А. Форш
Исследовано влияние температуры на стационарную фотопроводимость и релаксацию
фотопроводимости после прекращения освещения в пленках слабо легированного
бором микрокристаллического гидрированного кремния. Измерения проводились
в области температур 150-430 K при облучении пленок квантами света с
энергией 1.4 эВ. Из измерений стационарной фотопроводимости и ее релаксации
получены температурные зависимости времени фотоответа и дрейфовой подвижности
носителей в микрокристаллическом кремнии. Рассмотрены возможные механизмы
переноса и рекомбинации носителей, определяющие изменение с температурой
указанных параметров.
Аморфные и микрокристаллические
полупроводники