Работа опубликована в журнале Физики и техника полупроводников, т. 34,
в. 3, с. 373-375 (2000).
Поглощение и фотопроводимость в компенсированном бором mc-Si:H
А.Г. Казанский, Х. Мелл,
Е.И. Теруков, П.А. Форш
Исследованы поглощение, проводимость и фотопроводимость фоточувствительного
слабо легированного бором mc-Si:H. Зависимости фотопроводимости от
температуры и интенсивности света измерены в области температур 100-400 K
для различных энергий квантов (0.9, 1.3 и 1.8 эВ). Полученные результаты
объясняются определяющим вкладом микрокристаллической фазы и состояний на
границах раздела микрокристаллов в перенос и рекомбинацию неравновесных
носителей в mc-Si:H. Рассмотрены возможные механизмы рекомбинации
и изменение их роли с температурой.
Аморфные и микрокристаллические
полупроводники